Samsung представил новое поколение оперативной памяти для смартфонов

Сегодня Samsung официально анонсировал новое поколение оперативной памяти для смартфонов на 10-нм технологическом процессе, оптимизированное для сетей пятого поколения (5G) и искусственного интеллекта (AI).

Компания Samsung Electronics заявила, что в апреле завершила разработку 8-гигабайтного чипа LPDDR5 DRAM 10-нм класса с пропускной способностью до 6400 мегабит в секунду (Мбит / с), что в 1,5 раза быстрее, чем мобильные чипы DRAM, используемые в текущих флагманских мобильных устройствах (LPDDR4X, 4266 Мбит / с).

Новые чипы увеличат скорость передачи данных – они могут за секунду передавать 51,2 гигабайта (ГБ) данных или приблизительно 14 видеофайлов в формате Full HD (по 3,7 ГБ каждый).

Для достижения низкого энергопотребления новый чип LPDDR5 предлагает «глубокий спящий режим», который сокращает потребление энергии примерно до половины «режима ожидания» текущего LPDDR4X DRAM.

Samsung заявляет, что 8Gb LPDDR5 DRAM потребляет на 30 процентов меньше энергии по сравнению с предшественником, позволяя смартфонам достичь большей производительности и длительного времени автономной работы.

Компания также сообщила, что такие разработки позволят смартфонам работать более тесно с искусственным интеллектом и функциями машинного обучения.

10-нм чипы LPDDR5 для смартфонов следующего поколения и автомобильных систем будут доступны в двух конфигурациях - 6400 Мбит / с при рабочем напряжении 1,1 В и 5500 Мбит / с при 1,05 В.

Samsung Electronics сообщила, что массовое производство линейки DRAM следующего поколения (LPDDR5, DDR5 и GDDR6) начнется в ближайшем будущем в зависимости от спроса со стороны клиентов.

Новое поколение оперативной памяти LPDDR5, скорее всего, будет использовано на предстоящих флагманских смартфонах, в том числе, возможно, и на Galaxy Note 9, который будет официально представлен 9 августа.